您当前的位置:
首页 >
文章列表页 >
全耗尽SOIMOSFET辐照导致的阈值电压漂移模型
全耗尽SOIMOSFET辐照导致的阈值电压漂移模型
A New Threshold Voltage Shift Model Due to Radiation in Fully-Depleted SOI MOSFET
- 电子学报 2001年29卷第11期 页码:1519-1521
移动端阅览
HTML全文
参考文献
出版信息
数据统计
87
浏览量
1703
下载量
0
CSCD
文章被引用时,请邮件提醒。
提交
工具集
- BibTeX下载
- Endnote下载
- RefMan 下载
- NoteExpress下载
- NoteFirst下载
相关文章
NMOSFET器件不同源、不同γ剂量率辐射损伤比较
适用于数模混合集成的SOIMOSFET的失真分析
包含绕包铝箔屏蔽的数据线缆信号完整性解析方法
面向工业多时间尺度软测量的时序解耦与度量对齐Transformer模型
知识增强的区域关联图像解说生成方法
相关作者
何宝平
王桂珍
周 辉
罗尹虹
姜景和
张国艳
廖怀林
黄 如
相关机构
西北核技术研究所西安市69信箱六室
香港科技大学电子工程系
北京大学微电子学研究所北京
香港科技大学电子工程系

