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全耗尽SOIMOSFET辐照导致的阈值电压漂移模型
论文 | 更新时间:2025-07-16
    • 全耗尽SOIMOSFET辐照导致的阈值电压漂移模型

    • A New Threshold Voltage Shift Model Due to Radiation in Fully-Depleted SOI MOSFET

    • 万新恒 ,张 兴 ,谭静荣 ,高文钰 ,黄 如 ,王阳元
    • 电子学报 2001年29卷第11期 页码:1519-1521

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