3.4nm超薄SiO2栅介质的特性

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3.4nm超薄SiO₂栅介质的特性

论文 | 更新时间：2025-07-16

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- 3.4nm超薄SiO₂栅介质的特性
- Electrical Characteristics of 3.4nm Gate Oxide
- 许晓燕，谭静荣，高文钰，黄如，田大宇，张兴
- 电子学报 2002年30卷第2期页码：269-270
- 作者机构：
  北京大学微电子学研究所,北京,100871
- 作者简介：
- 基金信息：
  国家自然科学基金 (No.69976001);国家重点基础研究专项基金 (No.20000365)
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