您当前的位置：
首页 >
文章列表页 >
热载流子诱生MOSFET/SOI界面陷阱的正向栅控二极管技术表征
热载流子诱生MOSFET/SOI界面陷阱的正向栅控二极管技术表征
Hot Carrier-Induced Interface Traps in N-Channel MOSFET/SOI Characterized by a Forward Gated-Diode Technique
- 电子学报 2002年30卷第2期 页码：252-254
移动端阅览
HTML全文
参考文献
出版信息
数据统计
72
浏览量
2146
下载量
2
CSCD
文章被引用时，请邮件提醒。
提交
工具集
- BibTeX下载
- Endnote下载
- RefMan 下载
- NoteExpress下载
- NoteFirst下载
相关文章
线性余因子差分亚阈电压峰技术测量电应力诱生MOSFET界面陷阱的研究
利用MOSFET亚阈I-V特性进行辐射感生界面陷阱的测量
基于DD域LFM脉冲信号嵌入的OTFS通感一体化波形设计
基于慢波微同轴的紧凑型开关线式真时延单元
基于RSMA的通信导航一体化信号波形设计
相关作者
何 进
张 兴
黄 如
王阳元
张正选
罗晋生
袁仁峰
何宝平
相关机构
北京大学微电子学研究所
美国加州大学BERKELEY分校EECS系,美国加州
北京大学微电子学研究所北京
美国加州大学BERKELEY分校EECS系美国加州
西安交通大学微电子所!西安710049
