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基于迁移率波动的MOSFET线性区域1／f噪声模型
基于迁移率波动的MOSFET线性区域1／f噪声模型
A Novel MOSFET 1/f Noise Model Based on Mobility Fluctuation for Linear Region
- 电子学报 2002年30卷第8期 页码：1192-1195
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相关作者
何 进
牛旭东
张钢刚
张 兴
相关机构
北京大学信息科学技术学院微电子学系纳太器件和电路研究室
北京大学深圳研究生院信息工程学院
