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VLSI金属互连线1/f γ噪声指数与电迁移失效
VLSI金属互连线1/f γ噪声指数与电迁移失效
Correlation between Frequency Exponent of 1/f γ Noise and Electromigration Failure in VLSI Interconnections
- 电子学报 2003年31卷第2期 页码：183-185
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