用二维全带组合Monte Carlo方法模拟纤锌矿相GaN静电感应晶体管(SIT)特性

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

用二维全带组合Monte Carlo方法模拟纤锌矿相GaN静电感应晶体管(SIT)特性

论文 | 更新时间：2025-07-16

上一篇|下一篇

- 用二维全带组合Monte Carlo方法模拟纤锌矿相GaN静电感应晶体管(SIT)特性
- Two Dimensional Full Band,Ensemble Monte Carlo Simulation of Wutzite GaN Static Induction Transistors (SITs)
- 郭宝增，孙荣霞，UMBERTO Ravaioli
- 电子学报 2003年31卷第8期页码：1211-1214
- 作者机构：
  1. 河北大学电子信息工程学院,河北,保定,071002
  2. Beckman Institute,University of Illinois at Urbana-Champaign,405 North Mathews Urbana,IL,USA,61801
  3. 河北大学电子信息工程学院河北保定,071002
  4. Beckman InstituteUniversity of Illinois at Urbana-Champaign405 North Mathews UrbanaIL USA,61801
- 作者简介：
- 基金信息：
  国家留学基金 (No.98813054)
- DOI：
  中图分类号：
- 稿件说明：
移动端阅览
DOI：
DOI：

HTML全文
参考文献
出版信息
数据统计

摘要

Abstract

关键词

Keywords

references

71

浏览量

835

下载量

0

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

BibTeX下载
Endnote下载
RefMan 下载
NoteExpress下载
NoteFirst下载

关联资源

相关文章

一种适用于氮化镓半桥结构的高可靠性差分电流补偿电平移位电路

应急场景无人机辅助实时视频传输联合优化策略

MDW：最小双权差分特征搜索模型

面向低空无人机监测的3D MIMO OTFS通信感知一体化方法

面向扇出型晶圆级封装的芯片间RDL布线算法

相关作者

赵鹏

姜梅

赵鹏

姜梅

相关机构

深圳大学电子与信息工程学院

深圳大学电子与信息工程学院