基于BSIM深亚微米级MOSFET短沟道效应建模和特征提取方法研究

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

基于BSIM深亚微米级MOSFET短沟道效应建模和特征提取方法研究

论文 | 更新时间：2025-07-16

上一篇|下一篇

- 基于BSIM深亚微米级MOSFET短沟道效应建模和特征提取方法研究
- Modeling and Characterization of Deep-Submicron MOSFET with Short-Channel Effect Based on BSIM^TM
- 赵阳，Parke Stephen ，Burke Franklyn
- 电子学报 2004年32卷第5期页码：841-844
- 作者机构：
  1. 南京师范大学电气与电子工程学院,江苏,南京,210042
  2. 美国爱达荷州Boise州立大学电气与计算机系,ID83706,USA
  3. 南京师范大学电气与电子工程学院江苏南京,210042
  4. 美国爱达荷州Boise州立大学电气与计算机系06USA,ID837
- 作者简介：
- 基金信息：
  江苏省自然科学基金 (No.BK2003099);教育部留学回国人员科研启动基金 (No.教外司[2003]406);部分受美国国家自然科学基金 (No.EPS-9977454)
- DOI：
  中图分类号：
- 稿件说明：
移动端阅览
DOI：
DOI：

HTML全文
参考文献
出版信息
数据统计

摘要

Abstract

关键词

Keywords

references

73

浏览量

1865

下载量

1

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

BibTeX下载
Endnote下载
RefMan 下载
NoteExpress下载
NoteFirst下载

关联资源

相关文章

知识增强的区域关联图像解说生成方法

MDW：最小双权差分特征搜索模型

基于RSMA的通信导航一体化信号波形设计

基于稀疏贝叶斯学习的OTFS系统脉冲噪声抑制方法

面向低空无人机监测的3D MIMO OTFS通信感知一体化方法

相关作者

暂无数据

相关机构

暂无数据