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基于二维电势分布的一种新型复合多晶硅栅 LDMOS阈值电压模型
基于二维电势分布的一种新型复合多晶硅栅 LDMOS阈值电压模型
Threshold Voltage Model of a Novel Dual Polysilicon Material Gate LDMOS Based on Two Dimensional Potential Distribution
- 电子学报 2007年35卷第5期 页码：844-848
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