陷阱效应对4H-SiC MESFET频率特性的影响

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陷阱效应对4H-SiC MESFET频率特性的影响

论文 | 更新时间：2025-07-16

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- 陷阱效应对4H-SiC MESFET频率特性的影响
- The Influence of Trapping Effect on Frequency Characteristics in 4H-SiC MESFETs L Hong-liang¹,ZHANG Yi-men¹,ZHANG Yu-ming¹,CHE Yong²,WANG Yue-hu1,SHAO Ke¹
- 吕红亮，张义门，张玉明，车勇，王悦湖，邵科
- 电子学报 2008年36卷第5期页码：933-936
- 作者机构：
- 作者简介：
- 基金信息：
  国家自然科学基金 (No.60606022);国防973重点基础研究发展规划 (No.51327010101)
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西安电子科技大学集成电路学部宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室

西安电子科技大学宽禁带半导体国家工程研究中心

中国科学院半导体研究所

中国工程物理研究院核物理与化学研究所

东南大学国家ASIC工程中心