剩余应变对半导体量子点边带能影响的数值分析

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剩余应变对半导体量子点边带能影响的数值分析

论文 | 更新时间：2025-07-16

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- 剩余应变对半导体量子点边带能影响的数值分析
- Numerical Analyzing of Effect of the Residual Strain on the Energy Levels in Semiconductor Quantum Dot
- 杨红波，俞重远
- 电子学报 2009年37卷第11期页码：2476-2479
- 作者机构：
  1. 天津大学理学院,天津,300072
  2. 天津市低维功能材料物理与制备技术重点实验室,天津,300072
  3. 北京邮电大学理学院,北京,100876
  4. 天津大学理学院天津,300072
  5. 天津市低维功能材料物理与制备技术重点实验室天津,300072
  6. 北京邮电大学理学院北京,100876
- 作者简介：
- 基金信息：
  天津市自然科学基金 (No.07JCYBJC06000);天津大学青年教师基金 (No.5110122);国家自然科学基金 (No.50672064)
- DOI：
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