您当前的位置:
首页 >
文章列表页 >
掩膜电镀法制备圆片级封装重布线中孔洞形成机理研究
科研通信 | 更新时间:2025-07-16
掩膜电镀法制备圆片级封装重布线中孔洞形成机理研究
Study on the Void Formation in Through-Mask Plated Redistribution Layer in Wafer Level Package
- 电子学报 2014年42卷第2期 页码:411-416
移动端阅览
HTML全文
参考文献
出版信息
数据统计
70
浏览量
2537
下载量
0
CSCD
文章被引用时,请邮件提醒。
提交
工具集
- BibTeX下载
- Endnote下载
- RefMan 下载
- NoteExpress下载
- NoteFirst下载
相关文章
基于稀疏贝叶斯学习的OTFS系统脉冲噪声抑制方法
知识增强的区域关联图像解说生成方法
面向扇出型晶圆级封装的芯片间RDL布线算法
TF-PEFT:面向脑电基础模型的时频双流参数高效微调框架
一种加载介质钉层的宽角低扫描损耗毫米波双极化相控阵
相关作者
暂无数据
相关机构
暂无数据

