Al0.3Ga0.22In0.48P/GaAsHBT高温特性的研究

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Al_0.3Ga_0.22In_0.48P/GaAsHBT高温特性的研究

更新时间：2025-12-08

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- Al_0.3Ga_0.22In_0.48P/GaAsHBT高温特性的研究
- Study on High Temperature Characteristics of Al_0.3Ga_0.22In_0.48P/GaAsHBTerojunction Bipolar Transistors
- 吴杰，夏冠群，束伟民，顾伟东，张兴宏，P.A.Houston
- 电子学报 1999年第11期
- 作者机构：
  1. 中国科学院上海冶金研究所,上海,200050
  2. 英国Sheffield大学
  3. 中国科学院上海冶金研究所!上海200050英国Sheffield大学
- 作者简介：
- 基金信息：
  国家自然科学基金(61701067;61702065);上海应用材料研究与发展基金
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