32nm CMOS工艺三点翻转自恢复锁存器设计

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科研通信 | 更新时间：2025-12-08

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- 32nm CMOS工艺三点翻转自恢复锁存器设计
- Design of Triple-Node-Upset Self-Recovery Latch in 32nm CMOS Technology
- 黄正峰，潘尚杰，曹剑飞，宋钛，欧阳一鸣，梁华国，倪天明，鲁迎春
- 电子学报 2021年49卷第2期页码：394-400
- 作者机构：
  1. 合肥工业大学电子科学与应用物理学院,安徽,合肥,230601
  2. 合肥工业大学计算机与信息学院,安徽,合肥,230601
  3. 安徽工程大学电气工程学院,安徽,芜湖,241000
  4. 合肥工业大学电子科学与应用物理学院,安徽,合肥,230601
  5. 合肥工业大学计算机与信息学院,安徽,合肥,230601
  6. 安徽工程大学电气工程学院,安徽,芜湖,241000
- 作者简介：
- 基金信息：
  国家自然科学基金 (No.61874156，No.61874157，No.61904001）;安徽省自然科学基金 (No.1908085QF272）
- DOI： 10.12263/DZXB.20200530
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