退火温度对基于Bi1.5Zn1.05Nb1.5O7栅绝缘层的ZnO-TFTs性能的影响

张琦; 叶伟; 孙芳莉; 萧生; 杜鹏飞

doi:10.12263/DZXB.20210031

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

退火温度对基于Bi_1.5Zn_1.05Nb_1.5O₇栅绝缘层的ZnO-TFTs性能的影响

学术论文 | 更新时间：2025-12-08

- 退火温度对基于Bi_1.5Zn_1.05Nb_1.5O₇栅绝缘层的ZnO-TFTs性能的影响
- Effect of Annealing Temperature on Performance of ZnO-TFTs Based on Bi_1.5Zn_1.05Nb_1.5O₇ Gate Insulator
- 张琦，叶伟，孙芳莉，萧生，杜鹏飞
- 电子学报 2022年50卷第2期页码：455-460
- 作者机构：
  1.陕西理工大学机械工程学院，陕西汉中 723001
  2.西北工业集团有限公司，陕西西安 710043
- 作者简介：
  张　琦　女，1983年1月生于陕西省汉中市.硕士.现为陕西理工大学机械工程学院讲师.主要研究方向为铁电材料.E-mail: 46604414@qq.com
  叶　伟（通讯作者）　男，1977年5月生于重庆市.博士.现为陕西理工大学机械工程学院副教授，硕士生导师.主要研究方向为电子器件、储能器件、功能材料及换能器技术研究.E-mail: yewei518@163.com
  孙芳莉　女，1975年3月生于陕西省乾县.本科.现为西北工业集团有限公司工程师.主要研究方向为功能材料. E-mail: 522162978@qq.com
  萧　生　男，1994年12月生于重庆市.现为陕西理工大学硕士研究生.主要研究方向为半导体光电子器件.E-mail: xiaosheng1220@qq.com
  杜鹏飞　男，1996年7月生于甘肃庄浪.现为陕西理工大学硕士研究生.主要研究方向为储能材料与器件.E-mail: 2411349154@qq.com
- 基金信息：
  陕西省教育厅专项科学研究计划(17JK0144;18JK0151);陕西理工大学人才启动项目(SLGQD2017-19)
- DOI： 10.12263/DZXB.20210031
  中图分类号：
- 修回：2021-06-19 ，
- 稿件说明：
移动端阅览
DOI：
DOI：

HTML全文
图( 7 ) 表( 0 )
参考文献
出版信息
数据统计

摘要

Abstract

关键词

Keywords

references

90

浏览量

28

下载量

0

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

BibTeX下载
Endnote下载
RefMan 下载
NoteExpress下载
NoteFirst下载

关联资源

基于RSMA的通信导航一体化信号波形设计

动态二部图上高效的BiCore-索引维护算法

一种加载介质钉层的宽角低扫描损耗毫米波双极化相控阵

包含绕包铝箔屏蔽的数据线缆信号完整性解析方法

退火温度对基于Bi1.5Zn1.05Nb1.5O7栅绝缘层的ZnO-TFTs性能的影响

Effect of Annealing Temperature on Performance of ZnO-TFTs Based on Bi1.5Zn1.05Nb1.5O7 Gate Insulator

DOI： 10.12263/DZXB.20210031

HTML全文

图( 7 ) 表( 0 )

参考文献

出版信息

数据统计

摘要

Abstract

关键词

Keywords

references

退火温度对基于Bi_1.5Zn_1.05Nb_1.5O₇栅绝缘层的ZnO-TFTs性能的影响

Effect of Annealing Temperature on Performance of ZnO-TFTs Based on Bi_1.5Zn_1.05Nb_1.5O₇ Gate Insulator