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基于表面势的增强型p-GaN HEMT器件模型
学术论文 | 更新时间:2025-12-08
    • 基于表面势的增强型p-GaN HEMT器件模型

    • Surface Potential Based E-mode p-GaN HEMT Device Model

    • 葛晨 ,李胜 ,张弛 ,刘斯扬 ,孙伟锋
    • 电子学报 2022年50卷第5期 页码:1227-1233
    • DOI: 10.12263/DZXB.20210737     

      中图分类号:
    • 修回:2021-10-22 ,

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相关作者

李胜
张弛
刘斯扬
孙伟锋
葛晨
罗晋生
沈光地
陈建新

相关机构

东南大学微电子学院
东南大学电子科学与工程学院
北京工业大学电子系
信息产业部电子第13研究所
西安交通大学微电子研究所