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基于表面势的增强型p-GaN HEMT器件模型
基于表面势的增强型p-GaN HEMT器件模型
Surface Potential Based E-mode p-GaN HEMT Device Model
- 电子学报 2022年50卷第5期 页码:1227-1233
DOI: 10.12263/DZXB.20210737
修回:2021-10-22
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李胜
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北京工业大学电子系
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西安交通大学微电子研究所

