超低导通电阻沟槽栅LDMOS器件研究

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超低导通电阻沟槽栅LDMOS器件研究

学术论文 | 更新时间：2025-12-08

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- 超低导通电阻沟槽栅LDMOS器件研究
- Research on Ultra-Low On-Resistance Trench Gate LDMOS Device
- 吝晓楠，吴团庄，许超奇，李仁伟，张仪，薛璐洁，陈淑娴，林峰，刘斯扬，孙伟锋
- 电子学报 2023年51卷第8期页码：1995-2002
- 作者机构：
  1.东南大学电子科学与工程学院,江苏南京 210096
  2.东南大学微电子学院,江苏无锡 214000
  3.无锡华润上华科技有限公司,江苏无锡 214000
- 作者简介：
  吝晓楠男，1998年生.现为东南大学电子科学与工程学院研究生.主要研究方向为功率半导体器件可靠性.E-mail: linxnnj@qq.com
  刘斯扬（通讯作者）男，1987年生.现为东南大学电子科学与工程学院教授、博士生导师.主要研究方向为新型功率器件设计、功率集成电路设计和功率器件建模.中国电子学会会员：E190029952M. Email: liusy2017@seu.edu.cn
- 基金信息：
  国家重点研发计划(2020YFF0218501);东南大学至善学者基金(2242021R41080)
- DOI： 10.12263/DZXB.20220020
  中图分类号：
- 修回：2022-06-23 ，
- 稿件说明：
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