1 500 V超结功率MOS器件优化与电容特性研究

种一宁; 李珏; 乔明

doi:10.12263/DZXB.20230845

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1 500 V超结功率MOS器件优化与电容特性研究

学术论文 | 更新时间：2025-12-24

- 1 500 V超结功率MOS器件优化与电容特性研究
- Optimization and Capacitance Characteristics of 1 500 V Super Junction Power MOS Devices
- 种一宁，李珏，乔明
- 电子学报 2024年52卷第7期页码：2271-2278
- 作者机构：
  1.电子科技大学电子薄膜与集成器件全国重点实验室,四川成都 611731
  2.电子科技大学广东电子信息工程研究院,广东东莞 523950
  3.电子科技大学(深圳)高等研究院,广东深圳 518110
- 作者简介：
  种一宁女，2000年12月出生，河北辛集人.电子科技大学集成电路科学与工程学院本科生.主要研究方向为功率半导体器件和微机械系统.E-mail: cyn20001202@163.com
  李珏女，1997年10月出生，甘肃定西人.电子科技大学集成电路科学与工程学院研究生.主要研究方向为功率器件.E-mail: 957799800@qq.com
  乔明男，1981年3月出生，辽宁葫芦岛人.电子科技大学教授、博士生导师.主要研究方向为功率半导体器件、BCD集成技术、高压功率集成电路、功率器件可靠性、抗辐射功率器件及高压集成技术、高压ESD防护技术、功率器件建模.中国电子学会会员编号：E190013004S.E-mail: qiaoming@uestc.edu.cn
- 基金信息：
  广东省基础与应用基础研究基金(2021B1515020031);国家自然科学基金(62174024);航空科学基金(201943080002)
- DOI： 10.12263/DZXB.20230845
  中图分类号：
- 修回：2023-11-25 ，
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