Si衬底上基于诱导成核技术的高质量GaN外延

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Si衬底上基于诱导成核技术的高质量GaN外延

学术论文 | 更新时间：2025-12-11

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- Si衬底上基于诱导成核技术的高质量GaN外延
- High Quality GaN Epitaxy Based on Induced Nucleation Technology on Si Substrate
- 许钪，许晟瑞，陶鸿昌，苏华科，高源，杨赫，安瑕，黄俊，张进成，郝跃
- 电子学报 2024年52卷第12期页码：3907-3913
- 作者机构：
  1.西安电子科技大学集成电路学部，陕西西安 710071
  2.宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室，陕西西安 710071
  3.湖北九峰山实验室，湖北武汉 430074
- 作者简介：
  许钪男，2000年出生于山东省临沂市.现为西安电子科技大学集成电路学部硕士研究生.主要研究方向为Si基GaN材料外延和器件制备.E-mail: 1519685775@qq.com
  许晟瑞男，现为西安电子科技大学集成电路学部教授，博士生导师.共发表学术论文132篇，主持国家自然科学基金3项，获得陕西省科学技术一等奖，入选陕西省杰出青年.E-mail: srxu@xidian.edu.cn
  陶鸿昌男，1997年出生于安徽省阜阳市.于2023年获得西安电子科技大学博士学位.共发表学术论文10余篇.主要研究方向为宽带隙半导体和氮化物LED.E-mail: taohongchang@xidian.edu.cn
- 基金信息：
  国家自然科学基金(62074120);国家资助博士后研究人员计划(GZC20241306);湖北省开发项目(2022BFE001)
- DOI： 10.12263/DZXB.20240662
  中图分类号：
- 修回：2024-09-05 ，
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