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基于原子阈值开关的二维沟道材料场效应晶体管解析模型研究
基于原子阈值开关的二维沟道材料场效应晶体管解析模型研究
Research on Analytical Modeling of Two-Dimensional Atomic-Threshold-Switching FETs
- 电子学报 2025年53卷第9期 页码:3163-3172
DOI: 10.12263/DZXB.20250400
录用:2025-09-04
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