您当前的位置:
首页 >
文章列表页 >
基于原子阈值开关的二维沟道材料场效应晶体管解析模型研究
学术论文 | 更新时间:2025-12-27
    • 基于原子阈值开关的二维沟道材料场效应晶体管解析模型研究

    • Research on Analytical Modeling of Two-Dimensional Atomic-Threshold-Switching FETs

    • 蒋春生 ,霍亦康 ,化麒麟 ,宋树祥 ,潘立阳 ,许军
    • 电子学报 2025年53卷第9期 页码:3163-3172
    • DOI: 10.12263/DZXB.20250400     

      中图分类号:
    • 录用:2025-09-04 ,

    移动端阅览

  •  
  •  
  • HTML全文

  • 图( 19 ) 表( 1 )

  • 参考文献

  • 出版信息

  • 数据统计

论文导航
icon
试读结束,您可以激活您的VIP账号继续阅读。
去激活 >
icon
试读结束,您可以通过登录账户,到个人中心,购买VIP会员阅读全文。
已是VIP会员?
去登录 >

134

浏览量

225

下载量

0

CSCD

文章被引用时,请邮件提醒。
提交
工具集
  • BibTeX下载
  • Endnote下载
  • RefMan 下载
  • NoteExpress下载
  • NoteFirst下载

相关文章

栅宽对AlGaN/GaN HEMTs亚阈值摆幅的影响
NBTI效应导致SET脉冲在产生与传播过程中的展宽
全耗尽异质栅单Halo SOI MOSFET二维模型
AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管解析模型
低轨卫星环境下OTFS跨域嵌入式导频信道估计算法

相关作者

季启政
刘峻
杨铭
马贵蕾
胡小锋
刘尚合
秦军瑞
刘必慰

相关机构

陆军工程大学石家庄校区电磁环境效应重点实验室
北京卫星环境工程研究所
南京信息工程大学电子与信息工程学院
北京东方计量测试研究所
国防科技大学计算机学院