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基于InP HEMT工艺的低噪声放大器模块气密性封装
学术论文 | 更新时间：2026-02-05
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    • 基于InP HEMT工艺的低噪声放大器模块气密性封装

    • Hermetically Packaged Low-Noise Amplifier Module Based on InP HEMT Technology

    • 邓世河 ，张盟 ，沈亚飞 ，谢振超 ，王文伟
    • 电子学报 2025年53卷第10期 页码：3497-3503

    • DOI： 10.12263/DZXB.20250526     

      中图分类号：

    • 录用：2025-10-11 ，

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