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亚20 nm FinFET工艺温度传感器低温总剂量效应研究
学术论文 | 更新时间:2026-04-24
    • 亚20 nm FinFET工艺温度传感器低温总剂量效应研究

    • Total Ionizing Dose Effects at Cryogenic Temperatures on a Sub-20 nm FinFET Temperature Sensor

    • 皮辉斌 ,吴龙胜 ,文溢 ,罗登 ,喻国芳
    • 电子学报 2025年53卷第12期 页码:4665-4670
    • DOI: 10.12263/DZXB.20250733     

      中图分类号:
    • 录用:2025-12-23 ,

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