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亚20 nm FinFET工艺温度传感器低温总剂量效应研究
亚20 nm FinFET工艺温度传感器低温总剂量效应研究
Total Ionizing Dose Effects at Cryogenic Temperatures on a Sub-20 nm FinFET Temperature Sensor
- 电子学报 2025年53卷第12期 页码:4665-4670
DOI: 10.12263/DZXB.20250733
录用:2025-12-23
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