您当前的位置：
首页 >
文章列表页 >
氧化物半导体薄膜晶体管的栅工程：材料、结构、界面与性能调控
氧化物半导体薄膜晶体管的栅工程：材料、结构、界面与性能调控
Gate Engineering of Oxide Semiconductor Thin-Film Transistors: Materials, Structures, Interfaces, and Performance Modulation
- 电子学报 2025年53卷第12期 页码：4541-4559
DOI： 10.12263/DZXB.20250771
录用：2025-12-11
移动端阅览
HTML全文
图( 10 ) 表( 0 )
参考文献
出版信息
数据统计
182
浏览量
194
下载量
0
CSCD
文章被引用时，请邮件提醒。
提交
工具集
- BibTeX下载
- Endnote下载
- RefMan 下载
- NoteExpress下载
- NoteFirst下载
相关文章
低温金属诱导横向晶化多晶硅材料和器件技术
金属氧化物气敏半导体表面受感性能的研究
深亚微米沟道δ掺杂NMOSFET结构特性和设计
包含绕包铝箔屏蔽的数据线缆信号完整性解析方法
基于RSMA的通信导航一体化信号波形设计
相关作者
王 文
孟志国
郝丕柱
裘南畹
刘卫东
李志坚
刘理天
余志平
相关机构
香港科技大学电机电子工程系,香港九龙清水湾
山东工业大学
清华大学微电子学研究所
美国斯坦福大学集成系统中心
清华大学微电子学研究所美国斯坦福大学集成系统中心
