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超浅结亚45nm MOSFET亚阈值区二维电势模型
学术论文 | 更新时间：2025-07-16
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    • 超浅结亚45nm MOSFET亚阈值区二维电势模型

    • A 2-D Potential Sub-Threshold Model for Sub-45nm MOSFETs with Ultra Shallow Junctions

    • 韩名君 ，柯导明
    • 电子学报 2015年43卷第1期 页码：94-98

    • DOI： 10.3969/j.issn.0372-2112.2015.01.015     

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