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1.2kV SiC MOSFET器件URS应力退化机理研究
学术论文 | 更新时间：2025-07-16
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    • 1.2kV SiC MOSFET器件URS应力退化机理研究

    • The Degradation Mechanism for 1.2kV SiC MOSFET Under Unclamped Repetitive Stress

    • 黄宇 ，刘斯扬 ，顾春德 ，马荣晶 ，孙伟锋
    • 电子学报 2016年44卷第1期 页码：130-134

    • DOI： 10.3969/j.issn.0372-2112.2016.01.019     

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