质子辐照对场板AlGaN/GaN HEMT器件电特性的影响

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质子辐照对场板AlGaN/GaN HEMT器件电特性的影响

学术论文 | 更新时间：2025-07-02

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- 质子辐照对场板AlGaN/GaN HEMT器件电特性的影响
- The Effect of Proton Irradiation on the Electrical Properties of FP-AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
- 谷文萍，张林，杨鑫，全思，徐小波，杨丽媛，刘盼芝
- 电子学报 2016年44卷第6期页码：1445-1449
- 作者机构：
  1. 长安大学电子与控制工程学院,陕西,西安,710064
  2. 西安电子科技大学微电子学院,陕西,西安,710071
  3. 西安理工大学材料科学与工程学院,陕西,西安,710048
  4. 长安大学电子与控制工程学院,陕西,西安,710064
  5. 西安电子科技大学微电子学院,陕西,西安,710071
  6. 西安理工大学材料科学与工程学院,陕西,西安,710048
- 作者简介：
- 基金信息：
  国家自然科学基金 (No.61504011,No.51504191);中国博士后基金 (No.2013M540732,No.2013M542307);陕西省自然科学基金 (No.2014JM6229,No.2014JQ8344,No.2015JM6357);中央高校基本科研业务费项目 (No.310832161002);西安市科技计划项目 (No.CXY1441 (9),No.CXY1438 (5));大学生创新创业训练项目 (No.201510710037)
- DOI： 10.3969/j.issn.0372-2112.2016.06.027
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