您当前的位置:
首页 >
文章列表页 >
YON界面钝化层改善HfO2/Ge界面特性的研究
YON界面钝化层改善HfO2/Ge界面特性的研究
Improvement of HfO2/Ge Interface Properties by Using YON Interfacial Passivation Layer
- 电子学报 2017年45卷第11期 页码:2810-2814
DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2017.11.031
移动端阅览
HTML全文
参考文献
出版信息
数据统计
80
浏览量
267
下载量
1
CSCD
文章被引用时,请邮件提醒。
提交
工具集
- BibTeX下载
- Endnote下载
- RefMan 下载
- NoteExpress下载
- NoteFirst下载
相关文章
基于梯度优化的AFDM-ISAC波形高精度感知算法
端网协同传输技术演进与思考
基于慢波微同轴的紧凑型开关线式真时延单元
基于全局初检与局部列表精检的OTFS两阶段检测方法
RIS辅助宽带太赫兹ISAC系统鲁棒保密传输方法
相关作者
暂无数据
相关机构
暂无数据

