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一种紧凑的GaN高电子迁移率晶体管大信号模型拓扑
一种紧凑的GaN高电子迁移率晶体管大信号模型拓扑
A Compact Large-Signal Model Topology for GaN High Electron Mobility Transistors
- 电子学报 2018年46卷第2期 页码：501-506
DOI： 10.3969/j.issn.0372-2112.2018.02.033
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