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具有L型栅极场板的双槽双栅绝缘体上硅器件新结构
学术论文 | 更新时间：2025-07-08
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    • 具有L型栅极场板的双槽双栅绝缘体上硅器件新结构

    • A Dual-Trench-Gate Silicon on Insulator Device with a L-shaped Gate Field Plate

    • 代红丽 ，赵红东 ，王洛欣 ，石艳梅 ，李明吉
    • 电子学报 2018年46卷第5期 页码：1146-1152

    • DOI： 10.3969/j.issn.0372-2112.2018.05.019     

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