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基于磷钝化栅介质的1.2kV 4H-SiC DMOSFET
基于磷钝化栅介质的1.2kV 4H-SiC DMOSFET
1.2kV 4H-SiC DMOSFET with Phosphorous Passivated Gate Dielectric
- 电子学报 2018年46卷第8期 页码：2026-2029
DOI： 10.3969/j.issn.0372-2112.2018.08.031
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