您当前的位置:
首页 >
文章列表页 >
SiC JFET与SiC MOSFET失效模型及其短路特性对比
学术论文 | 更新时间:2025-07-02
    • SiC JFET与SiC MOSFET失效模型及其短路特性对比

    • Failure Models and Comparison on Short-Circuit Performances for SiC JFET and SiC MOSFET

    • 周郁明 ,刘航志 ,杨婷婷 ,陈兆权
    • 电子学报 2019年47卷第3期 页码:726-733
    • DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2019.03.030     

      中图分类号:

    移动端阅览

  •  
  •  
  • HTML全文

  • 参考文献

  • 出版信息

  • 数据统计

论文导航
icon
试读结束,您可以激活您的VIP账号继续阅读。
去激活 >
icon
试读结束,您可以通过登录账户,到个人中心,购买VIP会员阅读全文。
已是VIP会员?
去登录 >

143

浏览量

392

下载量

1

CSCD

文章被引用时,请邮件提醒。
提交
工具集
  • BibTeX下载
  • Endnote下载
  • RefMan 下载
  • NoteExpress下载
  • NoteFirst下载

相关文章

基于漏极电压和源极电压检测的SiC MOSFET过流保护芯片
板级跌落碰撞下无铅焊点的可靠性研究
可修排队系统中可靠性指标的分解
知识增强的区域关联图像解说生成方法
面向低空无人机监测的3D MIMO OTFS通信感知一体化方法

相关作者

茹逍
李亚兰
赵天阳
文阳
杨媛
李强
赵峻峰
赵玫

相关机构

西安理工大学自动化与信息工程学院
包头师范学院物理科学与技术学院
上海交通大学机械系统与振动国家重点实验室
英特尔技术开发(上海)有限公司
上海交通大学机械系统与振动国家重点实验室上海