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基于TCAD的绝缘体上硅器件总剂量效应仿真技术研究
基于TCAD的绝缘体上硅器件总剂量效应仿真技术研究
Research on Total Ionizing Dose Effect Simulation Technology of Silicon-on-Insulator Device Based on TCAD
- 电子学报 2019年47卷第8期 页码：1755-1761
DOI： 10.3969/j.issn.0372-2112.2019.08.020
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相关作者
刘刚
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西安电子科技大学计算机科学与技术学院
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