3D NAND闪存数据保持力与初始状态依赖性研究

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

3D NAND闪存数据保持力与初始状态依赖性研究

学术论文 | 更新时间：2025-07-16

上一篇|下一篇

- 3D NAND闪存数据保持力与初始状态依赖性研究
- Investigation of the Data Retention Initial State Dependence in 3D NAND Flash Memory
- 张明明，王颀，井冲，霍宗亮
- 电子学报 2020年48卷第2期页码：314-320
- 作者机构：
  1. 中国科学院大学微电子学院,北京,100049
  2. 中国科学院微电子研究所,北京,100029
  3. 长江存储科技有限公司,湖北,武汉,201203
  4. 中国科学院大学微电子学院,北京,100049
  5. 中国科学院微电子研究所,北京,100029
  6. 长江存储科技有限公司,湖北,武汉,201203
- 作者简介：
- 基金信息：
  国家科技重大专项 (No.2017ZX02301002）
- DOI： 10.3969/j.issn.0372-2112.2020.02.014
  中图分类号：
- 稿件说明：
移动端阅览
DOI：
DOI：

HTML全文
参考文献
出版信息
数据统计

摘要

Abstract

关键词

Keywords

references

70

浏览量

107

下载量

0

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

BibTeX下载
Endnote下载
RefMan 下载
NoteExpress下载
NoteFirst下载

关联资源

相关文章

基于全局初检与局部列表精检的OTFS两阶段检测方法

基于DD域LFM脉冲信号嵌入的OTFS通感一体化波形设计

基于RSMA的通信导航一体化信号波形设计

基于非均匀随机相位映射的抗截获通信波形研究

基于稀疏贝叶斯学习的OTFS系统脉冲噪声抑制方法

相关作者

暂无数据

相关机构

暂无数据