Mechanism of Metal Induced Lateral Crystallization

JIN Zhong-he; WANG Yue-lin

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Mechanism of Metal Induced Lateral Crystallization

更新时间：2025-07-16

- Mechanism of Metal Induced Lateral Crystallization
- Acta Electronica Sinica Vol. 29, Issue 8, Pages: 1079-1082(2001)
- 作者机构：
  
  浙江大学信息与电子工程学系,浙江杭州市玉泉,310027
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  CLC： TN325+.2
- Published：2001
- 稿件说明：
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JIN Zhong-he, WANG Yue-lin. Mechanism of Metal Induced Lateral Crystallization[J]. Acta Electronica Sinica, 2001, 29(8): 1079-1082.
DOI：

JIN Zhong-he, WANG Yue-lin. Mechanism of Metal Induced Lateral Crystallization[J]. Acta Electronica Sinica, 2001, 29(8): 1079-1082. DOI：

摘要

本文主要研究金属诱导横向结晶速度与工艺条件的关系

探讨隐含在这些关系背后的制约因素.研究发现金属诱导横向结晶速度在长时间退火过程中下降;非晶硅本身在长时间退火过程中的变化是结晶速度下降的一个原因

而另外一个原因是在横向结晶过程中结晶前锋需要不断从镍覆盖区补充镍元素

而镍在硅中的扩散速度是有限的

因此

当结晶前锋离镍覆盖区距离远时

这种补充过程就开始制约横向生长速度.通过对这些结果的分析提出了金属诱导结晶的理论.

Abstract

Research on the velocity of the metal induced lateral crystallization (MILC) is reported in this paper. The velocity of MILC is found to decrease with the extended annealing time. One reason is the change of the a-Si during the extended annealing. Another reason is that the Ni diffusion through the MILC area to the MILC front plays an important role in MILC.A new mechanism of MIC and MILC is proposed to explain the observed phenomena.

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