高频npn  Si<sub>1-y</sub>Ge<sub>y</sub>基区HBT的集电结势垒区模型

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高频npn Si_1-yGe_y基区HBT的集电结势垒区模型

更新时间：2025-12-08

- 高频npn Si_1-yGe_y基区HBT的集电结势垒区模型
- Acta Electronica Sinica Issue 5, (1999)
- 作者机构：
  
  东南大学微电子中心
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  CLC： TN386.702
- Published：1999
- 稿件说明：
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[1]孔德义,李垚 ,魏同立,郑茳,钱文生.高频npn Si_(1-y)Ge_y基区HBT的集电结势垒区模型[J].电子学报,1999(05):50-53.

孔德义, 李垚, 魏同立, et al. 高频npn Si_1-yGe_y基区HBT的集电结势垒区模型[J]. Acta Electronica Sinica, 1999, (5).
[1]孔德义,李垚 ,魏同立,郑茳,钱文生.高频npn Si_(1-y)Ge_y基区HBT的集电结势垒区模型[J].电子学报,1999(05):50-53. DOI：

孔德义, 李垚, 魏同立, et al. 高频npn Si_1-yGe_y基区HBT的集电结势垒区模型[J]. Acta Electronica Sinica, 1999, (5). DOI：

本文分析并给出了在无应力及界面态的理想条件下ｎｐｎＳｉ１－ｙＧｅｙ基区ＨＢＴ集电结势垒高度的近似公式，重点推导了集电区穿通时的势垒区宽度的定量计算公式，在比较了未发生集电区穿通的势垒区宽度后，得出了重要结论．同时，本文亦给出了考虑应力及界面态密度后对模型的修正方法

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