High Frequency Property Analysis for GaAs MESFET Planar Varactor

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更新时间：2025-12-08

- High Frequency Property Analysis for GaAs MESFET Planar Varactor
- Acta Electronica Sinica Issue 8, (1999)
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院上海冶金研究所
  2. 西安交通大学微电子工程系
  3. 南京电子器件研究所
  4. 中国科学院上海冶金研究所西安交通大学微电子工程系南京电子器件研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  CLC： TN454
- Published：1999
- 稿件说明：
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[1]孙晓玮,程知群,夏冠群,罗晋生,林金庭.GaAsMESFET平面型变容管高频特性分析[J].电子学报,1999(08):129-130+140.

Sun Xiaowei, Cheng Zhiqun, Xia Guanqun. High Frequency Property Analysis for GaAs MESFET Planar Varactor[J]. Acta Electronica Sinica, 1999, (8).
[1]孙晓玮,程知群,夏冠群,罗晋生,林金庭.GaAsMESFET平面型变容管高频特性分析[J].电子学报,1999(08):129-130+140. DOI：

Sun Xiaowei, Cheng Zhiqun, Xia Guanqun. High Frequency Property Analysis for GaAs MESFET Planar Varactor[J]. Acta Electronica Sinica, 1999, (8). DOI：

本文分析了用于ＧａＡｓＭＭＩＣ调频器件ＭＥＳＦＥＴ平面型变容管的微波特性，讨论了器件几何结构与直流参数、Ｓ参数之间的关系．重点研究了器件串联电阻对微波特性的影响，给出了变容管变电容比与器件几何尺寸．

Microwave performance analysis of GaAs MESFET planar varactor for tuning frequency function is presented.The device geometry construction

the DC parameters and the S parameters are discussed.The series resistance influence on the microwave performance has been emphatically investigated.

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