Simulation of wedge cathode vacuum microtriodes

钱琳; 皮德富

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Simulation of wedge cathode vacuum microtriodes

更新时间：2025-12-08

- Simulation of wedge cathode vacuum microtriodes
- Acta Electronica Sinica Issue 9, Pages: 63-66(1998)
- 作者机构：
  
  1. 南京理工大学电子工程与光电技术学院!南京
  2. 210094
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  CLC： TP391.9
- Published：1998
- 稿件说明：
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[1]钱琳,皮德富.楔形阴极的真空微电子三极管的计算机模拟[J].电子学报,1998(09):63-66.

钱琳, 皮德富. Simulation of wedge cathode vacuum microtriodes[J]. Acta Electronica Sinica, 1998, (9): 63-66.
[1]钱琳,皮德富.楔形阴极的真空微电子三极管的计算机模拟[J].电子学报,1998(09):63-66. DOI：

钱琳, 皮德富. Simulation of wedge cathode vacuum microtriodes[J]. Acta Electronica Sinica, 1998, (9): 63-66. DOI：

摘要

本文对楔形阴极的真空微电子三极管进行了计算机模拟，实现了真空微电子器件的性能分析．通过对模拟结果的分析，总结了楔形阴极的真空微电子三极管的性能，计算了有关参数并提出优化设计方案.

Abstract

Simulation of wedge cathode vacuum microtriodes is presented. The characteristics of vacuum microelectronic devices are given by analyzing the results and calulating the relevant parameters.

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