A Study of Approach to Characterize Real DefectOutlines in the IC Manufacturing Process

姜晓鸿; 郝跃; 徐国华

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A Study of Approach to Characterize Real DefectOutlines in the IC Manufacturing Process

更新时间：2025-12-08

- A Study of Approach to Characterize Real DefectOutlines in the IC Manufacturing Process
- Acta Electronica Sinica Issue 2, (1998)
- 作者机构：
  
  西安电子科技大学
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  CLC： TN405
- Published：1998
- 稿件说明：
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[1]姜晓鸿,郝跃,徐国华.IC制造中的真实缺陷轮廓表征方法研究[J].电子学报,1998(02):11-14+30.

姜晓鸿, 郝跃, 徐国华. A Study of Approach to Characterize Real DefectOutlines in the IC Manufacturing Process[J]. Acta Electronica Sinica, 1998, (2).
[1]姜晓鸿,郝跃,徐国华.IC制造中的真实缺陷轮廓表征方法研究[J].电子学报,1998(02):11-14+30. DOI：

姜晓鸿, 郝跃, 徐国华. A Study of Approach to Characterize Real DefectOutlines in the IC Manufacturing Process[J]. Acta Electronica Sinica, 1998, (2). DOI：

摘要

为了进行有效的集成电路（ＩＣ）成品率预报及故障分析，与光刻有关的硅片表面缺陷通常被假定为圆形的或方形的。然而，真实缺陷的形貌是多种多样的。本文提出一种准确的缺陷表征模型。该模型考虑了缺陷的真实轮廓，并且针对短路和开路模式，在引起故障概率相同的意义下将真实缺陷等效为圆形缺陷，实现了硅片表面缺陷的精细表征。

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