A Kinetics and fluid-Dynamics Analysis of Ge<sub>x</sub>Si<sub>1-x</sub>Low Pressure Chemical Vapor Epitaxy

金晓军; 梁骏吾

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A Kinetics and fluid-Dynamics Analysis of Ge_xSi_1-xLow Pressure Chemical Vapor Epitaxy

更新时间：2025-12-08

- A Kinetics and fluid-Dynamics Analysis of Ge_xSi_1-xLow Pressure Chemical Vapor Epitaxy
- Acta Electronica Sinica Issue 8, (1997)
- 作者机构：
  
  1. 清华大学微电子所
  2. 中国科学院半导体所
  3. 清华大学微电子所中国科学院半导体所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  CLC： TN304
- Published：1997
- 稿件说明：
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[1]金晓军,梁骏吾.Ge_xSi_（1－x）减压化学气相外延过程的流体力学和表面反应动力学分析[J].电子学报,1997(08):14-17.

金晓军, 梁骏吾. A Kinetics and fluid-Dynamics Analysis of Ge_xSi_1-xLow Pressure Chemical Vapor Epitaxy[J]. Acta Electronica Sinica, 1997, (8).
[1]金晓军,梁骏吾.Ge_xSi_（1－x）减压化学气相外延过程的流体力学和表面反应动力学分析[J].电子学报,1997(08):14-17. DOI：

金晓军, 梁骏吾. A Kinetics and fluid-Dynamics Analysis of Ge_xSi_1-xLow Pressure Chemical Vapor Epitaxy[J]. Acta Electronica Sinica, 1997, (8). DOI：

摘要

结合流体力学和表面反应动力学分析了ＳｉＨ２Ｃｌ２＋ＧｅＨ４＋Ｈ２减压化学气相外延系统．计算和讨论了由于生长压力的变化而导致的反应管内速度分布、温度分析和反应气体浓度分布的变化．计算了生长温度为７００℃时，ＧｅＳｉ外延层中Ｓｔ、Ｇｅ和ＧｅｘＳｉ１－ｘ生长速度与初始ＧｅＨ４流量的关系．从理论上解释了ＧｅｘＳｉ１－ｘ生长速度随ＧｅＨ４流量的变化关系，并与Ｐ．Ｍ．Ｇａｒｏｎｅ等人的实验结果进行了比较．

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