Quantum Efficiency Model for P+－GexSi1－x／p－Si Heterojunction Internal Photoemission（HIP）Long－Wavelength Infrared Detector

王瑞忠; 陈培毅; 钱佩信; 罗广礼; 周均铭

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Quantum Efficiency Model for P⁺－Ge_xSi_1－x／p－Si Heterojunction Internal Photoemission（HIP）Long－Wavelength Infrared Detector

更新时间：2025-12-08

- Quantum Efficiency Model for P⁺－Ge_xSi_1－x／p－Si Heterojunction Internal Photoemission（HIP）Long－Wavelength Infrared Detector
- Acta Electronica Sinica Issue 8, (1997)
- 作者机构：
  
  1. 清华大学微电子学研究所
  2. 中国科学院物理研究所
  3. 清华大学微电子学研究所中国科学院物理研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  CLC： TN21
- Published：1997
- 稿件说明：
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[1]王瑞忠,陈培毅,钱佩信,罗广礼,周均铭.P~＋－Ge_xSi_（1－x）／p－Si异质结内光发射长波红外探测器量子效率模型[J].电子学报,1997(08):59-62+58.

王瑞忠, 陈培毅, 钱佩信, et al. Quantum Efficiency Model for P⁺－Ge_xSi_1－x／p－Si Heterojunction Internal Photoemission（HIP）Long－Wavelength Infrared Detector[J]. Acta Electronica Sinica, 1997, (8).
[1]王瑞忠,陈培毅,钱佩信,罗广礼,周均铭.P~＋－Ge_xSi_（1－x）／p－Si异质结内光发射长波红外探测器量子效率模型[J].电子学报,1997(08):59-62+58. DOI：

王瑞忠, 陈培毅, 钱佩信, et al. Quantum Efficiency Model for P⁺－Ge_xSi_1－x／p－Si Heterojunction Internal Photoemission（HIP）Long－Wavelength Infrared Detector[J]. Acta Electronica Sinica, 1997, (8). DOI：

摘要

本文在对原有模型改进的基础上建立了一个Ｐ＋－ＧｅｘＳｉ１－ｘ／ｐ－Ｓｉ异质结内光发射（ＨＩＰ）长波红外探测器量子效率的解析模型．与原有模型相比，其特点是考虑了载流子输运作用对量子效率的影响．理论计算与实际结果比较表明，该模型与现有模型相比能更好地与实际相符合．利用该模型可对ＧｅｘＳｉ１－ｘ层的最佳厚度进行估计，其结果与实验结果也是一致的．

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