CMOS/SOI ICs Simulation and Parameter Extraction

甘学温; 奚雪梅; 李益民; 王阳元

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CMOS/SOI ICs Simulation and Parameter Extraction

更新时间：2025-12-08

- CMOS/SOI ICs Simulation and Parameter Extraction
- Acta Electronica Sinica Issue 11, (1995)
- 作者机构：
  
  北京大学微电子所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  CLC： TN386
- Published：1995
- 稿件说明：
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[1]甘学温,奚雪梅,李益民,王阳元.CMOS／SOI电路模拟与参数提取[J].电子学报,1995(11):96-98.

甘学温, 奚雪梅, 李益民, et al. CMOS/SOI ICs Simulation and Parameter Extraction[J]. Acta Electronica Sinica, 1995, (11).
[1]甘学温,奚雪梅,李益民,王阳元.CMOS／SOI电路模拟与参数提取[J].电子学报,1995(11):96-98. DOI：

甘学温, 奚雪梅, 李益民, et al. CMOS/SOI ICs Simulation and Parameter Extraction[J]. Acta Electronica Sinica, 1995, (11). DOI：

摘要

ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴ主要模型参数得到一致的提取，因而该模型嵌入ＳＰＩＣＥ后能保证ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的正确模拟工作，从ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件和环振电路的模拟结果和实验结果看，两者符合得较好，说明我们所采用的ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ器件模型及其参数提取都是成功的。

Abstract

A unified and systematic parameter extraction for SOI MOSFET’s has been presented

thereby the CMOS/SOI ICs simulation can use simulator such as SPICE after implemented with SOI MOSFET model. The results show that the SOI MOSFET model and the utilization of extraction program are trustworthy.

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