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1. 电子科技大学
2. 西安交大电子材料与元器件研究所
3. 电子科技大学西安交大电子材料与元器件研究所
Published:1994
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[1]张怀武,刘颖力,王豪才,姚熹.Bi代石榴石膜晶化机理研究[J].电子学报,1994(11):80-83.
张怀武, 刘颖力, 王豪才, et al. Study of Crystallization Mechanism of Bi Substituted Garnet Films[J]. Acta Electronica Sinica, 1994, (11).
[1]张怀武,刘颖力,王豪才,姚熹.Bi代石榴石膜晶化机理研究[J].电子学报,1994(11):80-83. DOI:
张怀武, 刘颖力, 王豪才, et al. Study of Crystallization Mechanism of Bi Substituted Garnet Films[J]. Acta Electronica Sinica, 1994, (11). DOI:
通过对Bi代石榴石膜的成核、晶体生长速率和法拉第效应的分析,给出最大成核温度范围(630℃~680℃)和细化晶粒的途径,膜的磁光性能、结构和成份测试结果与理论分析一致。
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