中国的微电子技术跨上1μm级的技术台阶

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中国的微电子技术跨上1μm级的技术台阶

更新时间：2025-12-08

- 中国的微电子技术跨上1μm级的技术台阶
- Acta Electronica Sinica Issue 2, Pages: 16(1992)
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- Published：1992
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[1].中国的微电子技术跨上1μm级的技术台阶[J].电子学报,1992(02):16.

中国的微电子技术跨上1μm级的技术台阶[J]. Acta Electronica Sinica, 1992, (2): 16.
[1].中国的微电子技术跨上1μm级的技术台阶[J].电子学报,1992(02):16. DOI：

中国的微电子技术跨上1μm级的技术台阶[J]. Acta Electronica Sinica, 1992, (2): 16. DOI：

摘要

<正> 清华大学微电子所已初步建成了国内第一条1—1.5微米CMOS VLSI电路（超大规模集成电路）芯片工艺研制线

独立地开发成功了1.5微米设计规范的CMOS VLSI电路成套工艺技术。这一套工艺在研制1兆位汉字只读存贮器中得到了充分的验证。成套工艺技术包括各项工艺条件摸索

工艺流程的设计和检测方法的确定。突破主要关键工艺包括微细线条曝光

显影

全正胶刻蚀

图形形貌的精度控制

细线条测量

高质量薄栅氧形成

离子注入技术

线结低温工艺

铝硅铜溅射工艺

硼磷硅玻璃等。

Abstract

<正> 清华大学微电子所已初步建成了国内第一条1—1.5微米CMOS VLSI电路（超大规模集成电路）芯片工艺研制线

工艺流程的设计和检测方法的确定。突破主要关键工艺包括微细线条曝光

显影

全正胶刻蚀

图形形貌的精度控制

细线条测量

高质量薄栅氧形成

离子注入技术

线结低温工艺

铝硅铜溅射工艺

硼磷硅玻璃等。

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