Influance of Ti Diffusion Barrier on Thermal Stability of Al/Si/Pd/GaAs Ohmic Contact

Fang Fang

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Influance of Ti Diffusion Barrier on Thermal Stability of Al/Si/Pd/GaAs Ohmic Contact

更新时间：2025-12-08

- Influance of Ti Diffusion Barrier on Thermal Stability of Al/Si/Pd/GaAs Ohmic Contact
- Acta Electronica Sinica Issue 5, Pages: 111-113(1990)
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院上海冶金研究所
  2. 美国加州大学圣地亚哥分校
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  CLC：
- Published：1990
- 稿件说明：
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[1]方芳,L.C.Wang,S.S.Lau.Ti扩散势垒对Al/Si/Pd与n-GaAs欧姆接触热稳定性的影响[J].电子学报,1990(05):111-113+126.

Fang Fang. Influance of Ti Diffusion Barrier on Thermal Stability of Al/Si/Pd/GaAs Ohmic Contact[J]. Acta Electronica Sinica, 1990, (5): 111-113.
[1]方芳,L.C.Wang,S.S.Lau.Ti扩散势垒对Al/Si/Pd与n-GaAs欧姆接触热稳定性的影响[J].电子学报,1990(05):111-113+126. DOI：

Fang Fang. Influance of Ti Diffusion Barrier on Thermal Stability of Al/Si/Pd/GaAs Ohmic Contact[J]. Acta Electronica Sinica, 1990, (5): 111-113. DOI：

摘要

利用电子束蒸发依次将Pd

Si和Al淀积在掺杂浓度为2×10

-3

的n型GaAs上

可以得到非合金、低阻的欧姆接触。比接触电阻率约为5×10

-6

·cm

。但经过高温（410℃）

长时间热退火后

样品的表面会出现明显不平整

比接触电阻率会明显增加

在Al和Si/Pd之间加入一层Ti作为扩散势垒会使欧姆接触的热稳定性变好。但只有在Al和Ti之间的反应没有完全耗尽Ti时

扩散势垒才起作用。

Abstract

Si and Al were deposited on n-GaAs with concentration 2×1018cm-3 by electron beam evaporation. Non-alloying and low resistivity （ρc≈5×10-6Ωcm2） ohmic contacts were obtained. After high temperature （410℃）

long term annealing

sample surface was not smooth and the specific contact resistivity increased. The thermal stability will be enhanced if a layer of Ti diffusion barrier is added between Al and Si/Pd. However the diffusion barrier can be brought into action only if the reaction Ti and Al is not allowed to consume all the Ti during heat treatment.

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