Study of I-V Characteristics in InGaAsP/lnP DH LED’s

Zhang Gui-cheng; Chen Rui-zhang; Yang Lin-bao

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

Study of I-V Characteristics in InGaAsP/lnP DH LED’s

更新时间：2025-12-08

- Study of I-V Characteristics in InGaAsP/lnP DH LED’s
- Acta Electronica Sinica Issue 4, Pages: 108-111(1985)
- 作者机构：
  
  中国科学院上海冶金所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  CLC：
- Published：1985
- 稿件说明：
移动端阅览
[1]张桂成,陈瑞璋,杨林宝.InGaAsP/InP双异质结发光管I-V特性的研究[J].电子学报,1985(04):108-111.

Zhang Gui-cheng, Chen Rui-zhang, Yang Lin-bao. Study of I-V Characteristics in InGaAsP/lnP DH LED’s[J]. Acta Electronica Sinica, 1985, (4): 108-111.
[1]张桂成,陈瑞璋,杨林宝.InGaAsP/InP双异质结发光管I-V特性的研究[J].电子学报,1985(04):108-111. DOI：

Zhang Gui-cheng, Chen Rui-zhang, Yang Lin-bao. Study of I-V Characteristics in InGaAsP/lnP DH LED’s[J]. Acta Electronica Sinica, 1985, (4): 108-111. DOI：

摘要

本文研究了InGaAsP/InP双异质结发光管的I-V特性

特别是有源区受主浓度、p-n结位置、限制层掺杂剂、热沉温度和制备工艺对正向导通电压（V

）、初始发光电压V

和反向击穿电压V

的影响

及其与光功率、光谱特性的关系。并讨论了产生不同I-V特性的原因。

Abstract

I-V characteristics of InGaAsP/InP DH LED’S are investigated

especially the dependence of Vf

V0 and VB on the active layer’s acceptor concentration

the location of the p-n junction

the dopant for the p-InP confining layer

the heat sink temperature and the fabrication techniques

as well as the dependence of I-V characteristics on the light output power and the spectral characteristics. Reasons are explained for the devices having different I-V characteristics.

关键词

Keywords

references

Views

下载量

CSCD

Alert me when the article has been cited

提交

Tools

Publicity Resources

No data

Related Author

No data

Related Institution

No data

⁰