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<正> 电子工业部河北半导体研究所第15次科研成果鉴定会(1985年)上
有4项成果通过部级鉴定: CX591型GaAs微波低噪声场效应管 栅长0.25μm。12GHz下噪声系数小于1.2dB
功率增益9dB;4GHz下噪声系数为0.4dB。
<正> 电子工业部河北半导体研究所第15次科研成果鉴定会(1985年)上
有4项成果通过部级鉴定: CX591型GaAs微波低噪声场效应管 栅长0.25μm。12GHz下噪声系数小于1.2dB
功率增益9dB;4GHz下噪声系数为0.4dB。
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