研制定型的四种高性能电路

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研制定型的四种高性能电路

更新时间：2025-12-08

- 研制定型的四种高性能电路
- Acta Electronica Sinica Issue 4, Pages: 113(1983)
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- Published：1983
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[1].研制定型的四种高性能电路[J].电子学报,1983(04):113.

研制定型的四种高性能电路[J]. Acta Electronica Sinica, 1983, (4): 113.
[1].研制定型的四种高性能电路[J].电子学报,1983(04):113. DOI：

研制定型的四种高性能电路[J]. Acta Electronica Sinica, 1983, (4): 113. DOI：

摘要

正

四川永川固体电路研究所研制出的M4116 16kMOS DRAM、M2114 4kMOS SRAM、M2115 E/DHMOS SRAM以及S100101 3-5输入或/或非门电路等科研成果已于1983年3月通过了部级设计定型。这些电路的研制成功为我国计算机和MOS大规模集成电路、超高速ECL电路的发展开创了道路。 M4116 16kMOS DRAM 采用N沟双层多晶硅工艺制造

芯片面积3×5.6mm

集成度37000个元件/片。电路用多路分时行、列地址输入

三态输出;数据输出由列地址选通控制并在取数时间至列地址

Abstract

正

芯片面积3×5.6mm

集成度37000个元件/片。电路用多路分时行、列地址输入

三态输出;数据输出由列地址选通控制并在取数时间至列地址

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