On Analysing the Transient Process in LC Sinusoidal Oscillator

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更新时间：2025-12-08

- On Analysing the Transient Process in LC Sinusoidal Oscillator
- Acta Electronica Sinica Issue 1, Pages: 109-112(1983)
- 作者机构：
  
  贵州省水利电力学校
- 作者简介：
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- DOI：
  CLC：
- Published：1983
- 稿件说明：
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[1]黄炳华.LC正弦振荡器的暂态分析[J].电子学报,1983(01):109-112.

Huang Bing-hua. On Analysing the Transient Process in LC Sinusoidal Oscillator[J]. Acta Electronica Sinica, 1983, (1): 109-112.
[1]黄炳华.LC正弦振荡器的暂态分析[J].电子学报,1983(01):109-112. DOI：

Huang Bing-hua. On Analysing the Transient Process in LC Sinusoidal Oscillator[J]. Acta Electronica Sinica, 1983, (1): 109-112. DOI：

通常认为

LC正弦振荡器的自激条件是:arg（?）=±2nπ;κ=|（?）|=（βM/rbeCR）≥1。本文指出

建立正弦振荡的网络在起振时并不满足上述条件;当k很大时

满足上述自激条件的网络并不产生正弦振荡

而是发生雪崩翻转

网络成为一个有容性负载的间歇振荡器。

It is usually observed that the conditions of self-excitation of LC sinusoidal oscillator are: （l）arg KF=±2nπ

（2）k =|KF|=（βM/rbcCR）≥1. Tnis paper points out that the above conclusion is not totally right.

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