Millimeter Wave InP Gunn Diode

邓衍茂

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Millimeter Wave InP Gunn Diode

更新时间：2025-12-08

- Millimeter Wave InP Gunn Diode
- Acta Electronica Sinica Issue 4, Pages: 46(1981)
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- Published：1981
- 稿件说明：
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[1]邓衍茂.毫米波磷化铟体效应二极管[J].电子学报,1981(04):46.

邓衍茂. Millimeter Wave InP Gunn Diode[J]. Acta Electronica Sinica, 1981, (4): 46.
[1]邓衍茂.毫米波磷化铟体效应二极管[J].电子学报,1981(04):46. DOI：

邓衍茂. Millimeter Wave InP Gunn Diode[J]. Acta Electronica Sinica, 1981, (4): 46. DOI：

摘要

正

南京固体器件研究所采用In/PCI

系统气相外延生长的n

-n-n

InP材料

采用适用于InP的Au-Ge-Ni合金欧姆接触、化学腐蚀减薄衬底和光照刻蚀台面等工艺

制作了台式镀金热沉结构的毫米波段连续波体效应振荡二极管（见照片）。该器件有源区的掺杂浓度为7.35×10

-3

厚度为2.85μm;台面直径约70μm

台面高度为15μm;管壳系无边缘同轴封装。用V波段同轴波导腔测试微波性能

得到的初

Abstract

正

南京固体器件研究所采用In/PCI

系统气相外延生长的n

-n-n

InP材料

采用适用于InP的Au-Ge-Ni合金欧姆接触、化学腐蚀减薄衬底和光照刻蚀台面等工艺

制作了台式镀金热沉结构的毫米波段连续波体效应振荡二极管（见照片）。该器件有源区的掺杂浓度为7.35×10

-3

厚度为2.85μm;台面直径约70μm

台面高度为15μm;管壳系无边缘同轴封装。用V波段同轴波导腔测试微波性能

得到的初

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