10GHz Low Noise Figure GaAs FET

梁春广

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

10GHz Low Noise Figure GaAs FET

更新时间：2025-12-08

- 10GHz Low Noise Figure GaAs FET
- Acta Electronica Sinica Issue 3, Pages: 98(1979)
- 作者机构：
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  CLC：
- Published：1979
- 稿件说明：
移动端阅览
[1]梁春广.10GHz低噪声GaAs FET[J].电子学报,1979(03):98.

梁春广. 10GHz Low Noise Figure GaAs FET[J]. Acta Electronica Sinica, 1979, (3): 98.
[1]梁春广.10GHz低噪声GaAs FET[J].电子学报,1979(03):98. DOI：

梁春广. 10GHz Low Noise Figure GaAs FET[J]. Acta Electronica Sinica, 1979, (3): 98. DOI：

摘要

正

在5cm波段GaAs FET研究的基础上

采用氧离子注入代替化学腐蚀台面作隔离

用普通接触式光刻曝光一金属剥离技术制作0.8～1.μ的栅条

并采用深挖槽等方法

我们已试制出3cm的GaAs FET。这种用生陶瓷管壳封装的器件

在10GHz下

噪声系数N

=4.7dB、增益G

=4.7dB

或者N

=5.8dB、G

=7dB。其管芯照片示于下图。

Abstract

正

在5cm波段GaAs FET研究的基础上

采用氧离子注入代替化学腐蚀台面作隔离

用普通接触式光刻曝光一金属剥离技术制作0.8～1.μ的栅条

并采用深挖槽等方法

我们已试制出3cm的GaAs FET。这种用生陶瓷管壳封装的器件

在10GHz下

噪声系数N

=4.7dB、增益G

=4.7dB

或者N

=5.8dB、G

=7dB。其管芯照片示于下图。

关键词

Keywords

references

Views

下载量

CSCD

Alert me when the article has been cited

提交

Tools

Publicity Resources

No data

Related Author

No data

Related Institution

No data

⁰