A High Raial GaAs-AlGaAs Double Heterojunction Lateral LED

王家齐; 廖先炳; 杨德林; 郑广富

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A High Raial GaAs-AlGaAs Double Heterojunction Lateral LED

更新时间：2025-12-08

- A High Raial GaAs-AlGaAs Double Heterojunction Lateral LED
- Acta Electronica Sinica Issue 4, Pages: 66(1981)
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- Published：1981
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[1]王家齐,,,,,,,,,廖先炳,,,,,,,,,杨德林,,,,,,,,,郑广富.一种高辐射率的GaAs-AlGaAs双异质结侧面发光二极管[J].电子学报,1981(04):66.

王家齐, 廖先炳, 杨德林, et al. A High Raial GaAs-AlGaAs Double Heterojunction Lateral LED[J]. Acta Electronica Sinica, 1981, (4): 66.
[1]王家齐,,,,,,,,,廖先炳,,,,,,,,,杨德林,,,,,,,,,郑广富.一种高辐射率的GaAs-AlGaAs双异质结侧面发光二极管[J].电子学报,1981(04):66. DOI：

王家齐, 廖先炳, 杨德林, et al. A High Raial GaAs-AlGaAs Double Heterojunction Lateral LED[J]. Acta Electronica Sinica, 1981, (4): 66. DOI：

摘要

正

永川光电研究所去年研制成功了一种高辐射率的GaAs-AlGaAs双异质结侧面发光二极管

它采用了SiO

掩蔽的条形电极结构。在掺硅的N型GaAs单晶的

100

面上相继外延生长出N型Al

l-x

P型Al

l-y

P型Al

l-x

As和P型GaAs四层外延层

所构成的双异质结来实现对光和载流子的纵向限制;在P型面上进行闭管Zn扩散

然后溅射出厚为0.4μm的SiO

层

光刻出宽度为60μm的电极引线条

这样来实现对光和载流子的横向限制。有源区掺硅的厚度为0.3μm左右。解理出的管芯的宽度对

Abstract

正

永川光电研究所去年研制成功了一种高辐射率的GaAs-AlGaAs双异质结侧面发光二极管

它采用了SiO

掩蔽的条形电极结构。在掺硅的N型GaAs单晶的

100

面上相继外延生长出N型Al

l-x

P型Al

l-y

P型Al

l-x

As和P型GaAs四层外延层

所构成的双异质结来实现对光和载流子的纵向限制;在P型面上进行闭管Zn扩散

然后溅射出厚为0.4μm的SiO

层

光刻出宽度为60μm的电极引线条

这样来实现对光和载流子的横向限制。有源区掺硅的厚度为0.3μm左右。解理出的管芯的宽度对

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